介损试验原理、接线方法与数据判据，一次梳理清楚

　　tanδ说白了就是绝缘介质在交流电场下的损耗，理想绝缘功率因数角90度，实际有有功分量，差出来那个角就是δ，tanδ就是介损。这东西好在它是个比值，不随试品电容量变，对整体受潮、劣化比较敏感，变压器套管电缆这些大件做绝缘判断很管用。

　　接线分正接线和反接线，选哪个看试品接地方式。试品两端都不接地的，优先正接线，测量回路在低压侧，抗干扰好精度高。碰到变压器外壳接地、电缆屏蔽层接地这种，低压端必须接地的，只能用反接线，测量回路在高压侧，对仪器绝缘和抗干扰要求高一些。现场第一步先看试品怎么接地，再决定接线方式，别上来就接，接完发现方式不对还得拆了重来。

　　变电站现场最大的麻烦是工频干扰。试品电容和周围带电设备之间有耦合，50Hz干扰信号叠到测量信号上，tanδ值能偏出不少。有次测一台110kV套管，tanδ突然从0.8跳到2.3，吓一跳，一查是末屏接地接触不良，加上旁边间隔还在带电运行，干扰全串进来了。

　　现在主流的解决办法是变频抗干扰，输出45Hz和55Hz两个异频电压分别测，算出排除50Hz干扰后的真实介损值。好处是不用等停电窗口，带电环境下也能测，效率高不少。选设备的时候确认一下有没有这个功能，强电磁环境下差别很大。

　　数据判据这块，不同设备标准不一样，说几个常见的。10kV套管tanδ一般不超过1.5%，35kV的不超过1.0%，110kV及以上套管不超过0.8%。变压器绕组预防性试验，35kV及以下不超过1.5%，66kV及以上不超过0.8%。电缆的话，10kV交联电缆tanδ不大于1.0%，超过这个数就得查原因了。这些是参考值，具体以规程为准，但心里有个数，测出来异常自己先能判断个大概。

　　CVT测量比较特殊，普通接法测不了。CVT分C1和C2两个电容单元，得用自激法，把二次绕组当励磁电源，靠电磁感应把测量信号传到一次侧，分别测C1和C2的电容值和tanδ。不是所有介损仪都支持自激法，选设备的时候确认一下，不然到了现场发现CVT测不了，白跑一趟。

　　介损试验原理不难，现场要做好不容易。接线方式选对、干扰处理到位、数据心里有参考标准，再配合一台抗干扰能力够的设备，基本不会出大问题。碰到数据异常先别急着下结论，排查接线和干扰，很多时候问题出在这上面。